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निम्नलिखित पोस्ट मस्जिद IRF3205 की मुख्य विशेषताओं की व्याख्या करती है जो मूल रूप से 110 एमपीएस पर बड़े पैमाने पर नाली की धारा के साथ रेटेड है, और 55 वी तक वोल्टेज, आदर्श रूप से पलटनेवाला, मोटर नियंत्रण, हेलिकॉप्टर और कनवर्टर अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।

मुख्य विशेषताएं

IRF3205 प्रमुख-किनारे एन-चैनल HEXFET® पावर मॉसफेट अंतर्राष्ट्रीय आयताकार से उच्च तकनीक प्रसंस्करण समाधान प्राप्त करता है ताकि सिलिकॉन स्थान के प्रति अविश्वसनीय रूप से न्यूनतम प्रतिरोध हो सके।

तेजी से परिवर्तित दर और बीहड़ प्रणाली लेआउट के साथ यह लाभ, कि HEXFET बिजली MOSFETs के लिए लोकप्रिय हैं, डेवलपर को कार्यक्रमों की एक सरणी में उपयोग किए जाने वाले असाधारण लागत-कुशल और भरोसेमंद उत्पाद प्रदान करता है।

TO-220 बंडल बिजली अपव्यय चरणों में लगभग 50 वाट के वाणिज्यिक-औद्योगिक उद्देश्यों के लिए विश्व स्तर पर पसंदीदा है। TO-220 की न्यूनतम तापीय प्रतिरोध और कम पैकेट कीमत बाजार के माध्यम से इसकी व्यापक मान्यता के लिए एक भूमिका निभाती है।

तकनीकी निर्देश

यह तकनीकी विनिर्देश निम्नलिखित डेटा के साथ समझा जा सकता है:

“आर्डिनो मेगा 2560 पिनआउट आरेख ”

कंटीन्यू ड्रेन करंट, वीजीएस @ 10 वी = 110 ए
स्पंदित नाली वर्तमान = 390 ए
25 डिग्री सेल्सियस पर बिजली अपव्यय = 200 डब्ल्यू
रैखिक व्युत्पन्न कारक = 1.3 W / ° C
गेट-टू-सोर्स वोल्टेज = to 20 वी
हिमस्खलन करंट = 62 A
दोहराए जाने वाले हिमस्खलन ऊर्जा = 20 mJdv / dt
पीक डायोड रिकवरी DV / dt = 5.0 V / ns
ऑपरेटिंग सेकंड और टांका लगाने का तापमान, 10 सेकंड के लिए = 300 (मामले से 1.6 मिमी) ° C आप उल्लेख कर सकते हैं मूल डेटाशीट अधिक जानकारी के लिए

पिनआउट विवरण

नीचे दिखाए गए चित्र में मस्जिद IRF3205 के पिनआउट विवरण देखे जा सकते हैं:

डिवाइस को सीधे अपने मुद्रित पक्ष के साथ अपनी ओर खींचते हुए, बाईं ओर पिन गेट होगा, केंद्र नाली होगा, जबकि दाईं ओर पिनआउट मस्जिद का स्रोत होगा

एक विशिष्ट अनुप्रयोग

IRF3205 mosfet का उपयोग करके एक सरल 500 से 5000 वाट इन्वर्टर बनाना।

मेरे पिछले पोस्ट में से एक में पचास वाट का इन्वर्टर आसानी से बड़े पैमाने पर 500 वाट के इन्वर्टर में बदल सकता है, बस इसके प्रकार के आधार पर इसके MOSFETs को प्रतिस्थापित कर सकता है।